Samsung Electronics заложила новый центр разработки полупроводников в Южной Корее

Samsung Electronics начала строительство нового комплекса полупроводниковых исследований и разработок в Южной Корее. R&D-центр площадью 109 тыс. кв. м расположен в Гихыне к югу от Сеула. Он будет проводить передовые исследования в сфере устройств и процессов следующего поколения для чипов памяти и системных чипов, а также разрабатывать новые технологии. Samsung инвестирует в R&D-центр ₩20 трлн, или $15 млрд, в течение следующих шести лет, чтобы добиться лидерства в области микрочиповых технологий.