ГК «Элемент» инвестирует ₽4,4 млрд в производство силовых транзисторов

ГК «Элемент» инвестирует ₽4,4 млрд в производство силовых транзисторов на нитриде галлия. Проект будет запущен на базе одного из ведущих предприятий группы – НИИ электронной техники в Воронеже. Реализация проекта позволит создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла. Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-мм эквиваленте в год.